Halbleitersubstrat aus GaAs und Halbleiterbauelement

Abstract

Bei einem Halbleitersubstrat (1) aus GaAs mit einer darauf aufgebrachten Halbleiterschichtenfolge (2) enthält die Halbleiterschichtenfolge (2) eine Mehrzahl von Halbleiterschichten (3, 4, 5, 6, 7) aus Al 1-y Ga y As 1-x P x mit 0 ≦ x ≦ 1 und 0 ≦ y ≦ 1, wobei der Phosphoranteil x in mehreren der Halbleiterschichten jeweils größer als in einer benachbarten, in Wachstumsrichtung darunter liegenden Halbleiterschicht ist. Ein derartiges Halbleitersubstrat kann vorteilhaft als Quasisubstrat (8) zum Aufwachsen von weiteren Halbleiterschichten (28), die eine kleinere Gitterkonstante als GaAs aufweisen, verwendet werden.

Claims

Description

Topics

    Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

    Patent Citations (7)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      DE-19531762-C2March 27, 2003Showa Denko KkLicht emittierende Halbleiterdiode mit einer stromverteilenden Deckschicht
      JP-2000031592-AJanuary 28, 2000Sony Corp, ソニー株式会社半導体発光素子
      JP-H05347431-ADecember 27, 1993Sharp Corp, シャープ株式会社半導体素子用基板および半導体素子
      US-2003036217-A1February 20, 2003Motorola, Inc.Microcavity semiconductor laser coupled to a waveguide
      US-2003138015-A1July 24, 2003Shunichi Sato, Takashi Takahashi, Naoto JikutaniLight-emitting semiconductor device producing red wavelength optical radiation
      US-6639249-B2October 28, 2003Motorola, Inc.Structure and method for fabrication for a solid-state lighting device
      US-6825500-B1November 30, 2004Nippon Sheet Glass Co., Ltd.Light-emitting thyristor and self-scanning light-emitting device

    NO-Patent Citations (0)

      Title

    Cited By (2)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      DE-102007046752-A1April 02, 2009Osram Opto Semiconductors GmbhQuasi substrate for e.g. surface emitting semiconductor laser, has buffer layer sequence provided with layer pairs from semiconductor layers with indium portions that increase from one layer pair to anothe layer pair based on substrate
      DE-102007057708-A1April 09, 2009Osram Opto Semiconductors GmbhOptoelectronic component e.g. LED with emission wavelength below six hundred nanometers, has barrier layers and active layer with grating constants, which are smaller around specific percentages than grating constants of gallium arsenide